肖特基(Schottky)二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上，利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用，相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)。现有的大多数肖特基二极管都是用硅(51)半导体材料，新材料碳化硅(SiC)的SBD也已被应用。

　　1)硅SBD的特点

　　正向压降比PN结二极管低，约为后者的1/2～1/3，典型值为0.45～0.55V，新型低压的可以低达0.32V;反向电压较低，在数十伏以下的较多(最高200 V)，适用于低电压的电路中。

　　2)硅SBD的关断速度

　　硅MD的关断速度极快，属于快恢复二极管，其整流作用仅取决于多数载流子的漂移现象，没有多余的少数载流子，无存储效应，不存在正向和反向恢复现象，trr仅是势垒电容的充、放电时间，故函小于相同额定的结型二极管，而且与反向di/dt无关。反向恢复时间trr约为10ns数量级。

　　3)硅SBD的缺点

　　硅SBD的缺点是反向漏电流比结型二极管大得多，结电容也较大。

　　4)碳化硅肖特基二极管

　　碳化硅肖特基二极管的最高反向电压能达到2200V;已在市场上见到的有600V、1200V、1700V的产品，正向压降约为1V。